仪器及技术简介

FE-TEM可在纳米尺度甚至晶格尺度下观察材料内部结构，并可结合TEM、STEM、HAADF、SAED、CBED、HRTEM和EDS等分析模式，获取材料的形貌、晶体结构、缺陷和元素组成信息。

该技术适用于纳米材料、金属及合金、半导体材料、能源材料、催化材料、陶瓷材料、薄膜材料及多相复合材料等研究。

可开展的检测项目

1.纳米级形貌与Z衬度成像

采用TEM和HAADF-STEM等成像方式，对微纳米颗粒的形貌、尺寸、分散状态和内部结构进行观察。

HAADF-STEM成像可利用原子序数衬度辅助区分多相材料中不同组成区域，为重元素与轻元素富集区域的识别提供依据。

2.微区晶体结构与物相鉴定

通过选区电子衍射和会聚束电子衍射，获取纳米尺度微区的电子衍射信息，用于物相标定、晶体结构分析和对称性研究。

3.原子与晶格级高分辨成像

采用高分辨透射电子显微成像观察材料的晶格条纹、晶格间距、相界面和局部结构。

设备可提供约0.24nm点分辨率的相位衬度成像能力，实际成像效果与样品厚度、制样质量、材料性质及测试条件有关。

4.微观缺陷深度表征

通过明场、暗场和弱束暗场等成像方式，对材料中的位错、层错、晶界、相界和纳米级析出相进行观察和分析。

适用于研究材料变形机制、热处理组织、强化相、界面结构及微观缺陷演化。

5.纳米级元素成分分析

结合EDS分析，可对纳米尺度区域开展元素定性、半定量分析和元素面分布分析，用于研究颗粒、界面、析出相及局部异常区域的元素组成。

可重点解决的问题

• 观察纳米颗粒的形貌、尺寸和分散状态；
• 分析多相材料中的纳米级组织结构；
• 鉴定微区物相和晶体结构；
• 测量晶格间距并观察相界面结构；
• 分析位错、层错、晶界和纳米析出相；
• 研究纳米尺度元素组成及空间分布；
• 为新材料研发和结构—性能关系研究提供数据支撑。

样品基本要求

• 常规透射电镜样品一般制备为直径约3mm的薄片；
• 样品透射区域厚度通常应小于100nm，高分辨分析区域一般需更薄；
• 样品应无明显磁性，并应提前说明材料是否具有潜在磁性；
• 样品应无污染、无明显残留、无水分及易挥发成分；
• 样品在高真空和电子束照射条件下不应明显分解、挥发或熔化；
• 粉末、薄膜、块体、截面及界面样品需要采用不同制样方法；
• 生物及有机样品通常需要进行特殊固定、包埋或冷冻制样处理；
• 具体制样方案应根据材料类型和检测目标提前确认。

委托检测建议

提交需求时，建议提供材料类型、主要成分、样品形态、制备工艺、目标物相、拟观察区域以及需要解决的科研问题。

如需开展HRTEM、SAED、缺陷分析或界面分析，应明确目标区域和研究目的，并提前确认是否需要离子减薄、FIB制样、超薄切片或其他专项制样。